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參數(shù)資料
| 型號： | HB56SW3272ESK |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| 中文描述： | 256MB的內(nèi)存緩沖EDO公司的DRAM 32 Mword × 72位，4K的刷新，2銀模塊（36個在16米x 4部分） |
| 文件頁數(shù)： | 18/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 338K |
| 代理商： | HB56SW3272ESK |
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HB56SW3272ESK-5/6
18
RAS
-Only Refresh Cycle
RAS
CAS
Address
Dout
High-Z
Row
t
RC
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RP
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RAS
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T
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CRP
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RPC
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CRP
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ASR
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RAH
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OFF
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OFR
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB56UW1673E | 128MB Buffered EDO DRAM DIMM(128MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| HB56UW3272ETK | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| HBAT-5400 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-540B | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-5402 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB56SW3272ESK-5 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56SW3272ESK-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56SW464DB-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
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