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參數資料
| 型號： | HB56SW3272ESK |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| 中文描述： | 256MB的內存緩沖EDO公司的DRAM 32 Mword × 72位，4K的刷新，2銀模塊（36個在16米x 4部分） |
| 文件頁數： | 27/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 338K |
| 代理商： | HB56SW3272ESK |
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HB56SW3272ESK-5/6
27
Physical Outline
HB56SW3272ESK Series
3.00
0.118
133.35
5.250
127.35
5.014
3
0
8.89
0.350
11.43
0.450
36.83
1.450
54.61
2.150
A
B
C
1
84
Front side
Back side
1.27
±
0.10
0.050
±
0.004
4
0
4.80
0.189
8
4
0
1
0
3
1
1
2 –
φ
3.00
2 –
φ
0.118
Component area
(Front)
Component area
(Back)
6.35
0.250
2.00
±
0.10
0.079
±
0.004
Detail B and C
Detail A
0
±
2
±
0
±
0
±
3
±
0
±
1.27
0.050
1.00
±
0.05
0.039
±
0.002
3.175
0.125
Unit: mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB56UW1673E | 128MB Buffered EDO DRAM DIMM(128MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| HB56UW3272ETK | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| HBAT-5400 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-540B | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-5402 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HB56SW3272ESK-5 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56SW3272ESK-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56SW464DB-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
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