參數(shù)資料
型號(hào)： HB52F649E1
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 注冊(cè)使用512 MB SDRAM的內(nèi)存（512 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 8/21頁(yè)
文件大?。?/td> 163K
代理商： HB52F649E1
HB52F649E1-75B
8
Block Diagram
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ0 to DQ3
* D0 to D17: HM5225405
PLL: 2510
Register: 162834
U0: 2-k bit EEPROM
V
CC
(D0 to D17, U0)
V
SS
(D0 to D17, U0)
Serial PD
SDA
WP
47 k
A0
A1
A2
SA0 SA1 SA2
V
SS
V
SS
V
CC
SCL
U0
SDA
SCL
Notes:
1. The SDA pull-up resistor is required due to
the open-drain/open-collector output.
2. The SCL pull-up resistor is recommended
because of the normal SCL line inacitve
"high" state.
4
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
0.22
μ
F
×
18 pcs
2.2
μ
F
×
2 pcs
0.0022
μ
F
×
24 pcs
RS0
CS
D0
RDQMB0
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ4 to DQ7
4
CS
D1
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ8 to DQ11
4
CS
D2
RDQMB1
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ12 to DQ15
4
CS
D3
I/O0
to I/O3
DQMB
CB0 to CB3
4
CS
D4
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ32 to DQ35
4
CS
D9
RDQMB4
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ36 to DQ39
4
CS
D10
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ40 to DQ43
4
CS
D11
RDQMB5
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ44 to DQ47
4
CS
D12
I/O0
to I/O3
DQMB
CB4 to CB7
4
CS
D13
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ16 to DQ19
4
RS2
CS
D5
RDQMB2
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ20 to DQ23
4
CS
D6
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ24 to DQ27
4
CS
D7
RDQMB3
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ28 to DQ31
4
CS
D8
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ48 to DQ51
4
CS
D14
RDQMB6
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ52 to DQ55
4
CS
D15
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ56 to DQ59
4
CS
D16
RDQMB7
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ60 to DQ63
4
CS
D17
S0
,
S2
DQMB0 to DQMB7
BA0 to BA1
A0 to A11
RE
CE
CKE0
W
RS0
,
RS2
RDQMB0 to RDQMB7
RBA0 to RBA1 -> BA0 to BA1: SDRAMs D0 to D17
RA0 to RA11 -> A0 to A11: SDRAMs D0 to D17
RRAS
->
RAS
: SDRAMs D0 to D17
RCAS
->
CAS
: SDRAMs D0 to D17
RCKE0 -> CKE: SDRAMs D0 to D17
RW
->
WE
: SDRAMs D0 to D17
10 k
V
CC
R
E
G
I
S
T
E
R
REGE
PLL CK
10
PLL
12 pF
CK0
10
12 pF
V
SS
V
SS
CK1 to CK3
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PDF描述
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