參數(shù)資料
型號： HB52F649E1
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 注冊使用512 MB SDRAM的內(nèi)存（512 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 4/21頁
文件大小： 163K
代理商： HB52F649E1
HB52F649E1-75B
4
Pin No.
Pin name
Pin No.
Pin name
Pin No.
Pin name
Pin No.
Pin name
36
A6
78
V
SS
CK2
120
A7
162
V
SS
CK3
37
A8
79
121
A9
163
38
A10 (AP)
80
NC
122
BA0
164
NC
39
BA1
81
WP
123
A11
165
SA0
40
V
CC
V
CC
CK0
82
SDA
124
V
CC
CK1
166
SA1
41
83
SCL
125
167
SA2
42
84
V
CC
126
A12
168
V
CC
Pin Description
Pin name
Function
A0 to A12
Address input
Row address
Column address
Bank select address
A0 to A12
A0 to A9, A11
BA0/BA1
DQ0 to DQ63
Data input/output
CB0 to CB7
S0
,
S2
RE
CE
W
Check bit (Data input/output)
Chip select input
Row enable (RAS) input
Column enable (CAS) input
Write enable input
DQMB0 to DQMB7
Byte data mask
CK0 to CK3
Clock input
CKE0
Clock enable input
WP
Write protect for serial PD
REGE*
1
Register enable
SDA
Data input/output for serial PD
SCL
Clock input for serial PD
SA0 to SA2
Serial address input
V
CC
V
SS
NC
Note:
Primary positive power supply
Ground
No connection
1. REGE is the Register Enable pin which permits the DIMM to operate in “buffered” mode and
“registered” mode. To conform to this specification, mother boards must pull this pin to high state
(“registerd” mode).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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