參數(shù)資料
型號： HB52F649E1
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 注冊使用512 MB SDRAM的內(nèi)存（512 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 10/21頁
文件大?。?/td> 163K
代理商： HB52F649E1
HB52F649E1-75B
10
V
IL
/V
IH
Clamp
(Component characteristics)
This SDRAM component has V
IL
and V
IH
clamp for CK, CKE,
S
, DQMB and DQ pins.
Minimum V
IL
Clamp Current
V
IL
(V)
–2
I (mA)
–32
–1.8
–25
–1.6
–19
–1.4
–13
–1.2
–8
–1
–4
–0.9
–2
–0.8
–0.6
–0.6
0
–0.4
0
–0.2
0
0
0
V
IL
(V)
I
–1.5
–1
–0.5
–5
–15
–20
–10
–25
–30
–35
0
–2
0
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