參數(shù)資料
型號： HB52E169E12
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 128 MB的注冊SDRAM的內(nèi)存（128 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 48/53頁
文件大?。?/td> 1737K
代理商： HB52E169E12
HB52E169E12-F
48
Full Page Read/Write Cycle
Auto Refresh Cycle
High-Z
S
0
1
2
3
4
5
6
7
\
]
H
R
\
R:a
C:a
R:b
R
S
\
2
3
<
=
(
2
(
2
3
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3
<
=
2
3
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R:a
C:a
R:b
High-Z
S
\
]
R
S
\
]
S
T
]
I
R
S
]
H
I
R
I
S
T
]
I
R
S
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J
T
@
I
J
5
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I
@
I
J
T
@
I
)
3
4
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2
3
(
)
2
)
2
3
=
)
2
3
)
*
4
)
*
)
*
)
Bank 0
Active
Bank 0
Read
Bank 3
Active
Burst stop
Bank 3
Precharge
Bank 0
Active
Bank 0
Write
Bank 3
Active
Burst stop
Bank 3
Precharge
7
8
@
A
J
K
-
7
8
@
A
J
-
6
7
@
A
J
#
-
6
7
@
#
,
-
5
6
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#
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7
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7
8
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-
.
7
8
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-
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7
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A
K
L
U
K
L
U
_
K
L
U
V
_
L
U
V
_
T
U
]
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_
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A
J
K
T
U
]
^
CKE
RE
S
CE
W
Address
DQMB
Dout
Din
CK
BA
CKE
RE
S
CE
W
BA
Address
DQMB
(
!
)
*
2
:
E
;
D
E
N
O
,
5
6
@
I
V
IH
V
IH
a
a+1
a+2
Read cycle
RE
-
CE
delay = 3
CE
latency = 4
Burst length = full page
= V or V
IH
IL
Write cycle
RE
-
CE
delay = 3
CE
latency = 4
Burst length = full page
= V or V
IH
IL
a
a+1
a+2
a+3
a+5
a+4
Din
Dout
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
CK
CKE
S
CE
W
BA
Address
DQMB
Din
Dout
'
(
/
0
8
9
@
A
H
I
M
&
.
/
@
A
H
I
High-Z
RP
;
:
B
C
L
A
I
J
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8
A
"
#
*
+
4
H
=
>
F
'
=
E
F
N
O
H
'
(
/
0
8
A
Precharge
If needed
Auto Refresh
Active
Bank 0
t
RC
t
RC
t
Auto Refresh
Read
Bank 0
R:a
C:a
A10=1
RE
!
*
2
3
:
;
D
:
C
D
L
A
I
J
$
,-
5
=
>
F
K
O
a
a+1
V
IH
Refresh cycle and
Read cycle
RE
CE
delay = 2
CE
latency = 4
Burst length = 4
= V or V
IH
IL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52E648EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12-B6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
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HB52E329EM-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM
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