參數(shù)資料
型號(hào)： H2N5089
廠商： HSMC CORP.
英文描述： NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
中文描述： 瑞展晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 35K
代理商： H2N5089
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
H2N5089
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : HE6273-B
Issued Date : 1993.12.08
Revised Date : 2000.09.15
Page No. : 1/3
HSMC Product Specification
Description
Amplifier Transistor.
Absolute Maximum Ratings
Maximum Temperatures
Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150
°
C
Junction Temperature................................................................................... +150
°
C Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25
°
C)............................................................................... 350 mW
Maximum Voltages and Currents (Ta=25
°
C)
VCBO Collector to Base Voltage ........................................................................................ 30 V
VCEO Collector to Emitter Voltage..................................................................................... 25 V
VEBO Emitter to Base Voltage .......................................................................................... 4.5 V
IC Collector Current......................................................................................................... 50 mA
Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
VBE(on)
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
Cob
Min.
30
25
4.5
-
-
-
-
400
450
400
50
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
50
100
0.5
0.8
1200
-
-
-
4.0
Unit
V
V
V
nA
nA
V
V
Test Conditions
IC=100uA, IE=0
IC=1mA, IB=0
IE=10uA, IC=0
VCB=15V, IE=0
VEB=4.5V, IC=0
IC=10mA, IB=1mA
IC=10mA, IB=5V
VCE=5V, IC=0.1mA
VCE=5V, IC=1mA
VCE=5V, IC=10mA
VCE=5V, IC=0.5mA, f=20MHz
VCB=5V, f=1MHz, IE=0
*Pulse Test : Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
MHz
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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H2N6388 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
H2N6426 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
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參數(shù)描述
H2N5366 制造商:HSMC 制造商全稱(chēng):HSMC 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
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