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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8151E18 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（1M x 18Bit) Sync Burst SRAM(16M位（1M x 18位)同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| 中文描述： | 16Mb的（100萬x 18位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（1,600位（100萬× 18位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 4/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 578K |
| 代理商： | GS8151E18 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
4/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS8151E18/36T-225/200/180/166/150/133
TQFP Pin Description
Pin Location
Symbol
A
0
, A
1
Type
I
Description
37, 36
Address field LSBs and Address Counter preset Inputs
35, 34, 33, 32, 100, 99, 82, 81, 44, 45,
46, 47, 48, 49, 50, 92, 97
80
63, 62, 59, 58, 57, 53, 52
68, 69, 72, 73, 74, 75, 78, 79
13, 12, 9, 8, 7, 6, 3, 2
18, 19, 22, 23, 24, 25, 28, 29
A
2
–
A
18
I
Address Inputs
A
19
I
Address Inputs (x18 versions)
DQ
A1
–
DQ
A8
DQ
B1
–
DQ
B8
DQ
C1
–
DQ
C8
DQ
D1
–
DQ
D8
DQ
A9
, DQ
B9
,
DQ
C9
, DQ
D9
DQ
A1
–
DQ
A9
DQ
B1
–
DQ
B9
I/O
Data Input and Output pins (x36 Version)
51, 80, 1, 30
I/O
Data Input and Output pins (x36 Version)
58, 59, 62, 63, 68, 69, 72, 73, 74
8, 9, 12, 13, 18, 19, 22, 23, 24
51, 52, 53, 56, 57
75, 78, 79,
1, 2, 3, 6, 7,
25, 28, 29, 30
16
66
87
93, 94
I/O
Data Input and Output pins (x18 Version)
NC
—
No Connect (x18 Version)
DP
QE
BW
B
A
, B
B
I
Parity Input; 1 = Even, 0 = Odd
Parity Error Out; Open Drain Output
Byte Write
—
Writes all enabled bytes; active low
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
Data I/Os; active low
Byte Write Enable for DQ
C
, DQ
D
Data I/Os; active low
(x36 Version)
No Connect (x18 Version)
Clock Input Signal; active high
Global Write Enable
—
Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active low
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep Mode control; active high
Scan Test Mode Select
Scan Test Data In
Scan Test Data Out
Scan Test Clock
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
O
I
I
95, 96
B
C
, B
D
I
95, 96
89
88
98
86
83
84, 85
64
38
39
42
43
14
31
NC
CK
GW
E
1
G
ADV
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
O
I
I
I
ADSP, ADSC
ZZ
TMS
TDI
TDO
TCK
FT
LBO
V
DD
V
SS
V
DDQ
15, 41, 65, 91
I
Core power supply
5,10,17, 21, 26, 40, 55, 60, 67, 71, 76, 90
I
I/O and Core Ground
4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77
I
Output driver power supply
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8151E36 | 16Mb（512K x 36Bit) Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位)同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS8151Z18 | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| GS8151Z36 | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| GS815218 | 16Mb（1M x 18Bit）S/DCD Burst SRAM(16M位（1M x 18位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS815236 | 16Mb（512K x 36Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS815V018AB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-250 - Trays |
| GS815V018AB-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-250I - Trays |
| GS815V018AB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300 - Trays |
| GS815V018AB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300I - Trays |
| GS815V018AB-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-333 - Trays |
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