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參數(shù)資料
| 型號： | GS8151E18 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（1M x 18Bit) Sync Burst SRAM(16M位（1M x 18位)同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
| 中文描述： | 16Mb的（100萬x 18位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（1,600位（100萬× 18位）同步靜態(tài)隨機存儲器（帶2位脈沖地址計數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 3/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 578K |
| 代理商： | GS8151E18 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS8151E18/36T-225/200/180/166/150/133
GS8151E36 100-Pin TQFP Pinout
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8151E36 | 16Mb（512K x 36Bit) Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位)同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
| GS8151Z18 | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| GS8151Z36 | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| GS815218 | 16Mb（1M x 18Bit）S/DCD Burst SRAM(16M位（1M x 18位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
| GS815236 | 16Mb（512K x 36Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS815V018AB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-250 - Trays |
| GS815V018AB-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-250I - Trays |
| GS815V018AB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300 - Trays |
| GS815V018AB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300I - Trays |
| GS815V018AB-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-333 - Trays |
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