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參數(shù)資料
| 型號： | GS815118 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（1M x 18Bit) Sync Burst SRAM(16M位（1M x 18位)同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
| 中文描述： | 16Mb的（100萬x 18位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（1,600位（100萬× 18位）同步靜態(tài)隨機存儲器（帶2位脈沖地址計數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 27/32頁 |
| 文件大小： | 583K |
| 代理商： | GS815118 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
27/32
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS815118/36T-225/200/180/166/150/133
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Symbol
V
IHT
V
ILT
I
INTH
I
INTL
I
OLT
V
OHT
V
OLT
Min.
0.7 * V
DD
Max.
V
DD
+0.3
0.3 * V
DD
Unit Notes
Test Port Input High Voltage
V
1, 2
Test Port Input Low Voltage
–
0.3
V
1, 2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
300
1
uA
3
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
1
1
uA
4
TDO Output Leakage Current
–
1
1
uA
5
Test Port Output High Voltage
1.7
—
V
6, 7
Test Port Output Low Voltage
—
0.4
V
6, 8
Note:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
This device features input buffers compatible with 2.5 V I/O drivers.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DD
+2 V with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
The TDO output driver is served by the V
DD
supply.
I
OH
=
–
4 mA
I
OL
= + 4 mA
Notes:
1.
2.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as as shown unless otherwise noted.
Parameter
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
Conditions
2.3 V
0.2 V
1 V/ns
1.25 V
1.25 V
DQ
V
T
= 1.25 V
50
30pF
*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8151E18 | 16Mb（1M x 18Bit) Sync Burst SRAM(16M位（1M x 18位)同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
| GS8151E36 | 16Mb（512K x 36Bit) Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位)同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
| GS8151Z18 | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| GS8151Z36 | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| GS815218 | 16Mb（1M x 18Bit）S/DCD Burst SRAM(16M位（1M x 18位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS815V018AB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-250 - Trays |
| GS815V018AB-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-250I - Trays |
| GS815V018AB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300 - Trays |
| GS815V018AB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300I - Trays |
| GS815V018AB-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-333 - Trays |
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