參數(shù)資料
型號： GS74116
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 4Mb（256K x 16Bit）Asynchronous SRAM(4M位（256K x 16位）異步靜態(tài)RAM)
中文描述： 4Mb的（256 × 16Bit的）異步SRAM（4分位（256K × 16位）異步靜態(tài)RAM）的
文件頁數(shù)： 4/14頁
文件大小： 184K
代理商： GS74116
Rev: 2.02 3/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
4/14
1999, Giga Semconductor, Inc.
N
GS74116TP/J/U
Note:
1.
2.
Input overshoot voltage should be less than V
DD
+2V and not exceed 20ns.
Input undershoot voltage should be greater than -2V and not exceed 20ns.
Notes:
1.
2.
Tested at T
A
=25°C, f=1MHz
These parameters are sampled and are not 100% tested
Recommended Operating Conditions
Parameter
Symbol
Mn
Typ
Max
Unit
Supply Voltage for -10/12/15
V
DD
3.0
3.3
3.6
V
Supply Voltage for -8
V
DD
3.135
3.3
3.6
V
Input High Voltage
V
IH
2.0
-
V
DD
+0.3
V
Input Low Voltage
V
IL
-0.3
-
0.8
V
Ambient Temperature,
Commercial Range
T
Ac
0
-
70
o
C
Ambient Temperature,
Industrial Range
T
A
I
-40
-
85
o
C
Capacitance
Parameter
Symbol
Test Condition
Max
Unit
Input Capacitance
C
IN
V
IN
=0V
5
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
=0V
7
pF
DC I/O Pin Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Mn
Max
Input Leakage
Current
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
-1uA
1uA
Output Leakage
Current
I
LO
Output High Z
V
OUT
= 0 to V
DD
-1uA
1uA
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= - 4mA
2.4
Output Low Voltage
V
OL
I
LO
= + 4mA
0.4V
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PDF描述
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