參數(shù)資料
型號(hào)： GS74116
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 4Mb（256K x 16Bit）Asynchronous SRAM(4M位（256K x 16位）異步靜態(tài)RAM)
中文描述： 4Mb的（256 × 16Bit的）異步SRAM（4分位（256K × 16位）異步靜態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 1/14頁(yè)
文件大小： 184K
代理商： GS74116
Rev: 2.02 3/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
1/14
1999, Giga Semconductor, Inc.
N
GS74116TP/J/U
256K x 16
4Mb Asynchronous SRAM
8, 10, 12, 15ns
3.3V V
DD
Center V
DD
& V
SS
SOJ, TSOP, FP-BGA
Commercial Temp
Industrial Temp
Features
Fast access time: 8, 10, 12, 15ns
CMOS low power operation: 170/145/130/110 mA at mn.cycle time.
Single 3.3V ± 0.3V power supply
All inputs and outputs are TTL compatible
Byte control
Fully static operation
Industrial Temperature Option: -40° to 85°C
Package line up
J: 400ml, 44 pin SOJ package
TP: 400ml, 44 pin TSOP Type II package
U: 7.20mmx 11.65mmFine Pitch Ball Grid Array package
Description
The GS74116 is a high speed CMOS static RAM organized as
262,144-words by 16-bits. Static design elimnates the need for exter-
nal clocks or timng strobes. Operating on a single 3.3V power supply
and all inputs and outputs are TTL compatible. The GS74116 is avail-
able in a 7.2x11.65 mmFine Pitch BGA package, 400 ml SOJ and
400 ml TSOP Type-II packages.
Pin Descriptions
Symbol
A
0
to A
17
SOJ 256K x 16 Pin Configuration
Fine Pitch BGA 256K x 16 Bump Configuration
7.2x11.65mm0.75mmBump Pitch
Top View
Description
Address input
Data input/output
Chip enable input
Lower byte enable input
(DQ1 to DQ8)
Upper byte enable input
(DQ9 to DQ16)
Write enable input
Output enable input
+3.3V power supply
Ground
No connect
DQ
1
to DQ
16
CE
LB
UB
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
1
2
3
4
5
6
A
LB
OE
A
0
A
1
A
2
NC
B
DQ
16
UB
A
3
A
4
CE
DQ
1
C
DQ
14
DQ
15
A
5
A
6
DQ
2
DQ
3
D
V
SS
DQ
13
A
17
A
7
DQ
4
V
DD
E
V
DD
DQ
12
NC
A
16
DQ
5
V
SS
F
DQ
11
DQ
10
A
8
A
9
DQ
7
DQ
6
G
DQ
9
NC
A
10
A
11
WE
DQ
8
H
NC
A
12
A
13
A
14
A
15
NC
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
V
DD
V
SS
DQ
5
DQ6
DQ7
DQ
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
A
16
A
5
A
6
A
7
OE
UB
LB
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
V
DD
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
A
17
Top view
44 pin
SOJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS78116 8Mb（512K x 16Bit）Asynchronous SRAM(8M位（512K x 16位）異步靜態(tài)RAM)
GS78132 8Mb（256K x 32Bit）Asynchronous SRAM(8M位（256K x 32位）異步靜態(tài)RAM)
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GS815018 16Mb（1M x 18Bit）Synchronous Burst SRAM(16M位（1M x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS74116A 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
GS74116AGP-10 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM ASYNC SGL 3.3V 4MBIT 256KX16 10NS 44TSOP-II - Trays
GS74116AGP-10E 制造商:GSI Technology 功能描述:GS74116AGP-10E - Trays
GS74116AGP-10I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM ASYNC SGL 3.3V 4MBIT 256KX16 10NS 44TSOP-II - Trays 制造商:GSI Technology 功能描述:IC 4MB ASYNCH SRAM 256K X 16 10NS 制造商:GSI Technology 功能描述:IC, 4MB ASYNCH SRAM 256K X 16, 10NS 制造商:GSI Technology 功能描述:IC, 4MB ASYNCH SRAM 256K X 16, 10NS; Memory Size:4Mbit; Memory Configuration:256K x 16; Supply Voltage Min:3V; Supply Voltage Max:3.6V; Memory Case Style:TSOP-2; No. of Pins:44; Access Time:10ns; Operating Temperature Min:-40C; ;RoHS Compliant: Yes
GS74116AGP-10T 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM ASYNC SGL 3.3V 4MBIT 256KX16 10NS 44TSOP-II - Tape and Reel
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