參數(shù)資料
型號(hào)： GP250MHB06S
廠商： DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Half Bridge IGBT Module
中文描述： 350 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大小： 127K
代理商： GP250MHB06S
GP250MHB06S
6/10
Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.
www.dynexsemi.com
Fig.7 Typical turn-off energy vs collector current
Fig.8 Typical turn-off energy vs collector current
Fig.10 Typical diode turn-off energy vs collector current
Fig.9 Typical diode turn-off energy vs collector current
0
300
100
Collector current, I
C
- (A)
150
0
5
10
40
T
O
T
j
= 25
C
V
GE
=
±
15V
V
CE
= 300V
A: R
g
= 15
B: R
g
= 10
C: R
g
= 5
A
B
C
20
15
25
30
35
200
250
50
0
300
100
Collector current, I
C
- (A)
150
0
5
10
40
T
O
T
j
= 125
C
V
GE
=
±
15V
V
CE
= 300V
A: R
g
= 15
B: R
g
= 10
C: R
g
= 5
A
B
C
20
15
25
30
35
200
250
50
0
300
100
Collector current, I
C
- (A)
150
200
250
0
4
3
5
D
O
T
j
= 25
C
V
GE
=
±
15V
V
CE
= 300V
R
g
= 5
R
g
= 10
R
g
= 15
2
1
50
0
300
100
Collector current, I
C
- (A)
150
200
250
0
4
3
5
D
O
T
j
= 125
C
V
GE
=
±
15V
V
CE
= 300V
R
g
= 5
R
g
= 10
R
g
= 15
2
1
50
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