參數(shù)資料
型號： GP250MHB06S
廠商： DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Half Bridge IGBT Module
中文描述： 350 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 127K
代理商： GP250MHB06S
GP250MHB06S
Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.
www.dynexsemi.com
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TYPICAL CHARACTERISTICS
Fig.3 Typical output characteristics
Fig.4 Typical output characteristics
Fig.5 Typical turn-on energy vs collector current
Fig.6 Typical turn-on energy vs collector current
0
50
100
150
200
250
300
450
500
0
0.5
1.0
Collector-emitter voltage, V
ce
- (V)
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5
C
c
V
ge
= 20/15V
Common emitter
T
case
= 125
C
400
350
V
ge
= 12V
V
ge
= 10V
0
300
100
Collector current, I
C
- (A)
150
0
10.0
30.0
T
O
T
j
= 25
C
V
GE
=
±
15V
V
CE
= 300V
A: R
g
= 15
B: R
g
= 10
C: R
g
= 5
A
B
C
17.5
20.0
12.5
15.0
22.5
25.0
27.5
2.5
5.0
7.5
200
250
50
0
300
100
Collector current, I
C
- (A)
150
0
10.0
30.0
T
O
T
j
= 125
C
V
GE
=
±
15V
V
CE
= 300V
A: R
g
= 15
B: R
g
= 10
C: R
g
= 5
A
B
C
17.5
20.0
12.5
15.0
22.5
25.0
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Collector-emitter voltage, V
ce
- (V)
1.5
2.0
2.5
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3.5
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C
c
V
ge
= 20/15V
Common emitter
T
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= 25
C
400
350
V
ge
= 12V
V
ge
= 10V
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