參數(shù)資料
型號(hào)： GP250MHB06S
廠商： DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Half Bridge IGBT Module
中文描述： 350 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 127K
代理商： GP250MHB06S
GP250MHB06S
Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.
www.dynexsemi.com
3/10
C
ies
Input capacitance
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V, f = 1MHz
-
27000
-
pF
I
F
Diode forward current
I
FM
Diode maximum forward current
DC
t
p
= 1ms
A
250
500
-
-
-
-
V
F
Diode forward voltage
I
F
= 250A,
1.9
1.1
-
A
V
I
F
= 250A, T
j
= 125C
1.8
1.05
-
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Collector cut-off current
I
GES
Gate leakage current
Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
V
GE
=
±
20V, V
CE
= 0V
mA
15
1
Max.
-
Typ.
-
-
Min.
-
Parameter
T
j
= 25C unless stated otherwise.
V
7.5
2.7
2.2
-
Gate threshold voltage
V
GE
= 15V, I
C
= 250A
-
4
I
C
= 10mA, V
GE
= V
CE
Units
I
CES
μ
A
V
GE(TH)
V
2.8
2.3
-
V
GE
= 15V, I
C
= 250A, T
j
= 125C
V
V
CE(SAT)
Collector-emitter saturation voltage
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
, T
j
= 125C
mA
50
-
-
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