參數(shù)資料
型號(hào)： GP1201FSS18
廠商： DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Single Switch Low V IGBT Module
中文描述： 1200 A, 1800 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大小： 127K
代理商： GP1201FSS18
GP1201FSS18
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Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.
www.dynexsemi.com
Fig. 7 Diode typical forward characteristics
Fig. 8 Reverse bias safe operating area
Fig. 9 Transient thermal impedance
00
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
Foward voltage, V
F
- (V)
F
F
200
400
600
800
1000
1200
1400
2000
2200
2400
1800
1600
T
j
= 125
C
T
j
= 25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
400
800
1200
1600
2000
Collector-emitter voltage, V
ce
- (V)
C
C
T
case
= 125
C
V
ge
= ±15V
R
g(off)
= 2.2
0.1
1
10
100
1
10
1000
100
10000
P
ulse width, t
p
- (ms)
T
Z
t
°
C
k
Diode
Transistor
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