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參數(shù)資料
| 型號： | GM72V66841ELT-7J |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 10/57頁 |
| 文件大小： | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ELT-7J |
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LG Semicon
GM72V66841CT/CLT
Function Truth Table (Continued)
Current
state
Precharge
CS
RAS
CAS
WE
Address
H
X
X
X
X
L
H
H
H
X
L
H
H
L
X
L
H
L
H
BA, CA, A10
L
H
L
L
BA, CA, A10
L
L
H
H
BA, RA
L
L
H
L
BA, A10
L
L
L
H
X
L
L
L
L
MODE
Command
Operation
DESL
NOP
BST
READ/READ A
WRIT/WRIT A
ACTV
PRE, PALL
REF, SELF
MRS
NOP
NOP
NOP
ILLEGAL
ILLEGAL
Bank and row active
NOP
Refresh
Mode register set
L
L
L
H
X
L
L
L
L
MODE
REF, SELF
MRS
ILLEGAL
ILLEGAL
Idle
Row active
H
X
X
X
X
L
H
H
H
X
L
H
H
L
X
L
H
L
H
BA, CA, A10
L
L
H
H
BA, RA
L
L
H
L
BA, A10
L
L
L
H
X
DESL
NOP
BST
READ/READ A
ACTV
PRE, PALL
REF, SELF
NOP
NOP
NOP
Begin read
Precharge
ILLEGAL
L
L
L
L
MODE
MRS
ILLEGAL
L
H
L
L
BA, CA, A10 WRIT/WRIT A
Begin write
Other bank active
ILLEGAL on same bank
9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM72V66841ELT-7K | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-8 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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| GM72V66841Exx | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-7 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GM72V66841ELT-8 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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