- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383012 > GM72V66841CT (Electronic Theatre Controls, Inc.) 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GM72V66841CT |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2097152字× 8位× 4個銀行同步動態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 22/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841CT |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁當前第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁
LG Semicon
GM72V66841CT/CLT
CLK
DQ(input)
in 0
in 1
in 2
in 3
Command
l
APW
Write with auto-Precharge:
In this operation,
since Precharge is automatically performed after
completing a burst write or single write
operation, a Precharge command need not be
executed after each write operation.
The command executed for the same bank after
the execution of this command must be the bank
active (ACTV) command. In addition, an interval
of l
APW
is required between the final valid data
input and input of the next command.
Burst Write (Burst Length = 4)
WRIT
ACTV
CLK
Command
WRIT
ACTV
Single Write
DQ(input)
in
l
APW
21
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM72V66841ELT-7J | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-7K | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-8 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841Exx | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GM72V66841CT/CLT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8Mx8|3.3V|4K|75|SDR SDRAM - 64M |
| GM72V66841ELT-10K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-75 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。