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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GM72V66841CLT |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2097152字× 8位× 4個(gè)銀行同步動(dòng)態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 49/57頁 |
| 文件大小： | 592K |
| 代理商： | GM72V66841CLT |
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LG Semicon
Read / Single Write Cycle
GM72V66841CT/CLT
Bank0
Active
Bank0
Precharge
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
Address
a
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
Address
DQ(input)
Bank0
Write
Bank0
Write
Bank0
Write
Bank0
Precharge
Bank3
Active
Bank0
Read
R:b
C:a
R:a
C:a
C:a
Bank3
Active
Bank0
Active
Bank0
Read
Bank0
Read
Bank0
Write
Bank3
Precharge
R:b
C:a
C:a
R:a
C:b C:c
c
a
b
CLK
CKE
19
20
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
CKE
V
IH
V
IH
a+2 a+3
a
a+1
a+2 a+3
a
a+1
a+3
a
a+1
Read/Single Write Cycle
RAS-CAS Delay=3
CAS Latency=3
Burst Length=4
= VIH or VIL
48
DQ(input)
DQ(output)
DQ(output)
DQM ,
DQMU/DQML
DQM ,
DQMU/DQML
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM72V66841CT | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-7J | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-7K | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-8 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GM72V66841CT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841CT/CLT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8Mx8|3.3V|4K|75|SDR SDRAM - 64M |
| GM72V66841ELT-10K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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