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參數(shù)資料
| 型號： | GM72V66841CLT |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2097152字× 8位× 4個銀行同步動態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 30/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841CLT |
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LG Semicon
GM72V66841CT/CLT
Write Command to Read Command Interval:
1.
Same bank, same Row address:
When the read
command is executed at the same ROW address of
the same bank as the preceding write command, the
write command can be performed after an interval
of no less than 1 cycle.
However, in the case of a burst write, data will
continue to be written until one cycle before the
read command is executed.
29
CLK
Command
WRITE to READ Command Interval (1)
Burst Write Mode
CAS Latency=2
Burst Length = 4
Bank0
WRIT
READ
Din
in A0
out B3
out B1
out B0
out B2
Dout
DQM,
DQMU/DQML
Column=A
Write
Column=B
Read
Column=B
Dout
CLK
Command
WRITE to READ Command Interval (2)
Burst Write Mode
CAS Latency=2
Burst Length = 4
Bank0
WRIT
Din
in A0
out B3
out B1
out B0
out B2
Dout
DQM,
DQMU/DQML
READ
Column=A
Write
Column=B
Read
Column=B
Dout
in A1
CAS Latency
CAS Latency
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM72V66841CT | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-7J | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-7K | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-8 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GM72V66841CT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841CT/CLT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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