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參數(shù)資料
| 型號： | GFU30N03 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 43A I(D) | TO-251AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直|第43A條（?。﹟對251AA |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | GFU30N03 |
GFU30N03
Vishay Semiconductor
Document Number 74573
17-Dec-01
www.vishay.com
3
0
10
20
30
50
60
70
80
0
1
2
3
4
5
Fig. 1 – Output Characteristics
0
0.005
0.015
0.02
0.03
0.01
0.025
0.035
0
20
30
10
50
40
60
80
70
Fig. 4 – On-Resistance vs.
Drain Current
0
10
20
40
30
50
60
1
2
3
4
5
Fig. 2 – Transfer Characteristics
40
V
GS
= 3.0V
0.8
0.6
1.4
1.6
1.2
1
--
50
--
25
25
50
75
100
125
150
0
Fig. 5 – On-Resistance vs.
Junction Temperature
V
GS
= 10V
I
D
= 20A
V
GS
= 4.5V
25
°
C
V
GS
= 10V
T
J
= 125
°
C
--55
°
C
3.5V
4.0V
6.0V
4.5V
V
DS
= 10V
0.6
1.4
1.2
1.6
1.8
2.0
0.8
1
--
50
--
25
25
50
75
100
125
150
0
Fig. 3 – Threshold Voltage vs.
Temperature
I
D
= 250
μ
A
I
D
V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
R
D
)
I
D
-- Drain Current (A)
I
D
V
GS
-- Gate-to-Source Voltage (V)
R
D
(
T
J
-- Junction Temperature (
°
C)
V
G
T
J
-- Junction Temperature (
°
C)
5.0V
V
GS
= 10V
Ratings and
Characteristic Curves
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GFU50N03 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 65A I(D) | TO-251AA |
| GFZ10M | 1.0 Amp Glass Passivated Sintered Rectifiers |
| GFZ10A | 1.0 Amp Glass Passivated Sintered Rectifiers |
| GFZ10B | 1.0 Amp Glass Passivated Sintered Rectifiers |
| GFZ10D | 1.0 Amp Glass Passivated Sintered Rectifiers |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GFU50N03\45A | 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 65A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| GF-USB-8M-32 | 制造商:Mencom 功能描述: |
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| GFWQ1010 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Ceramic Capacitor Stacks |
| GFWQ1012 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Ceramic Capacitor Stacks |
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