參數(shù)資料
型號(hào)： GFU25N03
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-251AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 38A條（?。﹟對(duì)251AA
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 38K
代理商： GFU25N03
GFU25N03
Vishay Semiconductor
www.vishay.com
4
Document Number 74572
17-Dec-01
Ratings and
Characteristic Curves
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
0
300
600
900
1200
1500
0
5
10
15
30
20
25
Fig. 8
–
Capacitance
C
rss
C
oss
f = 1MH
Z
V
GS
= 0V
0
2
4
6
8
10
0
4
8
16
12
Fig. 7
–
Gate Charge
20
24
V
DS
= 15V
I
D
= 19A
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
T
J
= 125
°
C
Fig. 9
–
Source-Drain Diode
Forward Voltage
25
°
C
--55
°
C
V
GS
= 0V
I
S
V
SD
-- Source-to-Drain Voltage (V)
Q
g
-- Gate Charge (nC)
V
G
C
V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
0
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.06
0.07
2
4
6
8
10
Fig. 6
–
On-Resistance vs.
Gate-to-Source Voltage
I
D
= 19A
T
J
= 125
°
C
25
°
C
R
D
)
V
GS
-- Gate-to-Source Voltage (V)
C
iss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GFU30N03 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 43A I(D) | TO-251AA
GFU50N03 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 65A I(D) | TO-251AA
GFZ10M 1.0 Amp Glass Passivated Sintered Rectifiers
GFZ10A 1.0 Amp Glass Passivated Sintered Rectifiers
GFZ10B 1.0 Amp Glass Passivated Sintered Rectifiers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GFU50N03\45A 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 65A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
GF-USB-8M-32 制造商:Mencom 功能描述:
GFWB3 制造商:Soshin Electric Co Ltd 功能描述:BAND PASS FILTER
GFWQ1010 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Ceramic Capacitor Stacks
GFWQ1012 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Ceramic Capacitor Stacks
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