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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GFC654 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TSOP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 30V的五（巴西）直| 3.6AI（四）|的TSOP |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | GFC654 |
GFC654
Vishay Semiconductor
www.vishay.com
4
Document Number 74553
5-Dec-01
Ratings and
Characteristic Curves
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
0
2
4
6
8
10
0
2
4
8
6
Fig. 7
–
Gate Charge
10
12
14
V
DS
=
--
15V
I
D
=
--
3.6A
Q
g
-- Gate Charge (nC)
-
G
0
600
500
400
300
200
100
700
800
900
0
5
10
15
20
30
25
Fig. 8
–
Capacitance
C
iss
C
rss
C
--V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
f = 1MHz
V
GS
= 0V
1
0.1
0.01
10
100
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
-
S
--V
SD
-- Source-to-Drain Voltage (V)
T
J
= 125
°
C
--
55
°
C
Fig. 9
–
Source-Drain Diode
Forward Voltage
V
GS
=
0
V
Fig. 10
–
Transient Thermal
Impedance
Fig. 11
–
Power vs. Pulse Duration
0.1
0.01
0.001
0
10
20
30
40
50
60
70
1
10
100
Single Pulse
R
θ
JA
= 78
°
C/W
T
A
= 25
°
C
Fig. 12
–
Maximum Safe Operating Area
-
D
--V
DS
-- Drain-Source Voltage (V)
0.01
0.1
0.1
1
1
10
100
10
100
V
GS
= --10V
Single Pulse
R
θ
JA
= 78
°
C/W
T
A
= 25
°
C
R
DS(ON)
Limit
100
μ
s
DC
10s
C
oss
25
°
C
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1. Duty Cycle, D = t
1
/t
2
2. R
θ
JA
(t) = R
θ
JA(norm)
*R
θ
JA
3. R
θ
JA
= 78
°
C/W
4. T
J
-- T
A
= P
DM
* R
θ
JA
(t)
0.01
1s
10ms
1ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GFD2206 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-252AA |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GFC9014 | 制造商:GSG 制造商全稱:GSG 功能描述:P Channel Power MOSFET |
| GFC9024 | 制造商:GSG 制造商全稱:GSG 功能描述:P Channel Power MOSFET |
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