參數(shù)資料
型號: GB15RF120K
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO2PIM-24, Insulated Gate BIP Transistor
中文描述: IGBT Modules 25 Amp 1200 Volt Non-Punch Through
文件頁數(shù): 8/13頁
文件大?。?/td> 425K
代理商: GB15RF120K
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VGE (V)
0
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40
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100
IC
TJ = 25°C
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VGE (V)
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VC
ICE = 3.75A
ICE = 7.5A
ICE = 15A
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C
Cies
Coes
Cres
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VCE (V)
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25
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35
40
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50
IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
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1
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3
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VGE = 10V
VGE = 8.0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GB15XF120K TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO26PACK-17, Insulated Gate BIP Transistor
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GB162BHYAANUB-V01 OSCILLATOR,28.322MHZ,HALF CAN, TTL,70MA,5NS
GB162B CAP,TANT,4.7uF,25V,10%
GB162BHGAAMDA-V01 CAP,TANT,47uF,25V,10%
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參數(shù)描述
GB15RF60K 功能描述:IGBT 模塊 25 Amp 600 Volt Non-Punch Through RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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GB15XP120KPBF 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Three Phase Inverter Module in MTP Package 1200 V NPT IGBT and HEXFRED Diodes, 15 A
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