| 型號(hào): | GB15RF120K |
| 廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類: | 功率晶體管 |
| 英文描述: | TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO2PIM-24, Insulated Gate BIP Transistor |
| 中文描述: | IGBT Modules 25 Amp 1200 Volt Non-Punch Through |
| 文件頁(yè)數(shù): | 3/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 425K |
| 代理商: | GB15RF120K |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GB15XF120K | TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO26PACK-17, Insulated Gate BIP Transistor |
| GB15XP120KTPBF | TRANSISTOR 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, MTP, 13 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
| GB162BHYAANUB-V01 | OSCILLATOR,28.322MHZ,HALF CAN, TTL,70MA,5NS |
| GB162B | CAP,TANT,4.7uF,25V,10% |
| GB162BHGAAMDA-V01 | CAP,TANT,47uF,25V,10% |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GB15RF60K | 功能描述:IGBT 模塊 25 Amp 600 Volt Non-Punch Through RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| GB15XF120K | 功能描述:IGBT 模塊 25 Amp 1200 Volt Non-Punch Through RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| GB15XP120KPBF | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Three Phase Inverter Module in MTP Package 1200 V NPT IGBT and HEXFRED Diodes, 15 A |
| GB15XP120KTPBF | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Three Phase Inverter Module in MTP Package 1200 V NPT IGBT and HEXFRED Diodes, 15 A |
| GB1600033 | 制造商:Pericom Semiconductor Corporation 功能描述: |