參數(shù)資料
型號(hào)： GB15RF120K
廠(chǎng)商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO2PIM-24, Insulated Gate BIP Transistor
中文描述： IGBT Modules 25 Amp 1200 Volt Non-Punch Through
文件頁(yè)數(shù)： 7/13頁(yè)
文件大小： 425K
代理商： GB15RF120K
+ :44 "4 4/ !7;!.. "089=
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-100
0
100
200
300
400
500
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700
800
900
-0.60
0.40
1.40
2.40
Time(μs)
V
C
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I
C
90% I
CE
5% V
CE
5% I
CE
Eoff Loss
tf
-100
0
100
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300
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Time (μs)
V
C
-5
0
5
10
15
20
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30
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40
45
I
C
TEST CURRENT
90% test current
5% V
CE
10% test current
tr
Eon Loss
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
τ
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
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τ
C
Ci=
τ
i
/
Ri
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t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
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0.001
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SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
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J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci= i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
τ
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
τ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GB15XF120K TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO26PACK-17, Insulated Gate BIP Transistor
GB15XP120KTPBF TRANSISTOR 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, MTP, 13 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
GB162BHYAANUB-V01 OSCILLATOR,28.322MHZ,HALF CAN, TTL,70MA,5NS
GB162B CAP,TANT,4.7uF,25V,10%
GB162BHGAAMDA-V01 CAP,TANT,47uF,25V,10%
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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GB15XP120KPBF 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Three Phase Inverter Module in MTP Package 1200 V NPT IGBT and HEXFRED Diodes, 15 A
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