參數(shù)資料
型號： GB15RF120K
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO2PIM-24, Insulated Gate BIP Transistor
中文描述： IGBT Modules 25 Amp 1200 Volt Non-Punch Through
文件頁數(shù)： 5/13頁
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代理商： GB15RF120K
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12
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16
VG
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400V
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E
EON
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0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
IF
25°C
125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GB15XF120K TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO26PACK-17, Insulated Gate BIP Transistor
GB15XP120KTPBF TRANSISTOR 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, MTP, 13 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
GB162BHYAANUB-V01 OSCILLATOR,28.322MHZ,HALF CAN, TTL,70MA,5NS
GB162B CAP,TANT,4.7uF,25V,10%
GB162BHGAAMDA-V01 CAP,TANT,47uF,25V,10%
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GB15RF60K 功能描述:IGBT 模塊 25 Amp 600 Volt Non-Punch Through RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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GB15XP120KPBF 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Three Phase Inverter Module in MTP Package 1200 V NPT IGBT and HEXFRED Diodes, 15 A
GB15XP120KTPBF 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Three Phase Inverter Module in MTP Package 1200 V NPT IGBT and HEXFRED Diodes, 15 A
GB1600033 制造商:Pericom Semiconductor Corporation 功能描述:
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