參數(shù)資料
型號： GA200SA60SP
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： TRANSISTOR 342 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, Insulated Gate BIP Transistor
中文描述： IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 100A
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大小： 178K
代理商： GA200SA60SP
Document Number: 95036
Revision: 28-Aug-07
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1
SOT-227
Outline Dimensions
Vishay Semiconductors
DIMENSIONS
in millimeters (inches)
Notes
Dimensioning and tolerancing per ANSI Y14.5M-1982
Controlling dimension: millimeter
38.30 (1.508)
37.80 (1.488)
-A-
4
1
2
3
12.50 (0.492)
7.50 (0.295)
4.40 (0.173)
4.20 (0.165)
30.20 (1.189)
29.80 (1.173)
15.00 (0.590)
6.25 (0.246)
25.70 (1.012)
25.20 (0.992)
-B-
R full
Chamfer
2.00 (0.079) x 45°
2.10 (0.082)
1.90 (0.075)
8.10 (0.319)
7.70 (0.303)
4 x
2.10 (0.082)
1.90 (0.075)
-C-
0.12 (0.005)
12.30 (0.484)
11.80 (0.464)
M
M
M
0.25 (0.010)
C A
B
4 x M4 nuts
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GA200SA60UP TRANSISTOR 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, Insulated Gate BIP Transistor
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GA39931 SINGLE PHASE MOULDED BRIDGES 0,8 AMP TO 1,5 AMP
GA40931 SINGLE PHASE MOULDED BRIDGES 0,8 AMP TO 1,5 AMP
GA50TS120K Short Circuit Rated Ultra-FastTM Speed IGBT
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參數(shù)描述
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