參數(shù)資料
型號(hào)： GA200SA60SP
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： TRANSISTOR 342 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, Insulated Gate BIP Transistor
中文描述： IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 100A
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 178K
代理商： GA200SA60SP
GA200SA60SP
Vishay Semiconductors
Insulated Gate Bipolar Transistor
Ultralow V
CE(on)
, 342 A
www.vishay.com
4
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Document Number: 94363
Revision: 22-Jul-10
Fig. 6 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case
Fig. 7 - Typical Capacitance vs.
Collector to Emitter Voltage
Fig. 8 - Typical Gate Charge vs. Gate to Emitter Voltage
Fig. 9 - Typical Switching Losses vs. Gate Resistance
Fig. 10 - Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
100
10
t
1
- Rectangular Pulse Duration (s)
Z
t
T
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.25
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
Single p
u
lse
(thermal resistance)
1
10
100
0
6000
12 000
18 000
24 000
30 000
V
CE
- Collector to Emitter Voltage (V)
C
V
GE
= 0
V
, f = 1 MHz
C
ies
= C
ge
+ C
gc
, C
ce
shorted
C
res
= C
gc
C
oes
= C
ce
+ C
gc
C
ies
C
oes
C
res
0
200
400
600
800
0
4
8
12
16
20
Q
G
- Total Gate Charge (nC)
V
G
V
CC
= 400
V
I
C
= 100 A
0
10
20
30
40
50
18
19
20
21
22
23
24
25
R
g
- Gate Resistance (
Ω
)
T
V
CC
= 480
V
V
GE
= 15
V
T
J
= 25 °C
I
C
= 200 A
T
- 60 - 40 - 20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
10
100
1000
T
J
- Junction Temperature (°C)
I
C
= 200 A
I
C
= 100 A
I
C
= 350 A
R
G
= 2.0
Ω
V
GE
= 15
V
V
CC
= 480
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GA200SA60UP TRANSISTOR 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, Insulated Gate BIP Transistor
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GA39931 SINGLE PHASE MOULDED BRIDGES 0,8 AMP TO 1,5 AMP
GA40931 SINGLE PHASE MOULDED BRIDGES 0,8 AMP TO 1,5 AMP
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參數(shù)描述
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