參數(shù)資料
型號： GA200SA60SP
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： TRANSISTOR 342 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, Insulated Gate BIP Transistor
中文描述： IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 100A
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 178K
代理商： GA200SA60SP
GA200SA60SP
Vishay Semiconductors
Insulated Gate Bipolar Transistor
Ultralow V
CE(on)
, 342 A
Document Number: 94363
Revision: 22-Jul-10
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5
Fig. 11 - Typical Switching Losses vs. Collector Current
Fig. 12 - Turn-Off SOA
Fig. 13a - Clamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 13b - Pulsed Collector Current Test Circuit
Fig. 14a - Switching Lost Test Circuit
T
100
150
200
250
300
350
0
40
80
120
160
I
C
- Collector Current (A)
R
G
= 2.0
Ω
T
J
= 150 °C
V
CC
= 480
V
V
GE
= 15
V
I
C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
Safe operating area
V
CE
- Collector to Emitter Voltage (V)
V
GE
= 20
V
T
J
= 125 °C
D.U.T.
50
V
L
V
C
*
* Driver same type as D.U.T.;
V
C
= 80 % of
V
CE
(max)
Note:
D
u
e to the 50
V
po
w
er s
u
pply, p
u
lse
w
idth and ind
u
ctor
w
ill increase to obtain rated I
d
1000
V
1
2
480
V
4 x I
C
at 25 °C
480 μF
960
V
0
V
to 480
V
R
L
=
50
V
Driver*
1000
V
D.U.T.
I
C
V
C
L
* Driver same type as D.U.T.,
V
C
= 480
V
3
1
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PDF描述
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