參數(shù)資料
型號(hào)： FZ1200R33KF2-B5
廠商： EUPEC
英文描述： Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
中文描述： Hochstzulassige話高潮/最大額定值
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
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代理商： FZ1200R33KF2-B5
Technische Information / Technical Information
FZ 1200 R 33 KL2
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufiges Datenblatt
preliminary datasheet
Z
t
[
t [sec]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: IGBT
i
[sec]
: IGBT
r
i
[K/kW]
: Diode
i
[sec]
: Diode
1,56
4,25
1,26
1,44
0,0068
0,0642
0,3209
2,0212
3,11
8,49
2,52
2,88
0,0068
0,0642
0,3209
2,0212
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0,0001
0,001
0,01
0,1
0,001
0,01
0,1
1
10
Zth:IGBT
Zth:Diode
8 (9)
FZ1200R33KL2_V Rev3.xls
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FZ1200R33KL2C_B5 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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