參數(shù)資料
型號(hào): FZ1200R33KF2-B5
廠商: EUPEC
英文描述: Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
中文描述: Hochstzulassige話高潮/最大額定值
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代理商: FZ1200R33KF2-B5
Technische Information / Technical Information
FZ 1200 R 33 KL2
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufiges Datenblatt
preliminary datasheet
I
C
V
CE
[V]
I
R
V
R
[V]
0
600
1200
1800
2400
3000
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
IC,Modul
IC,Chip
Sicherer Arbeitsbereich IGBT (RBSOA)
R
G,off
= 2,7 , C
GE
= 330 nF
Reverse bias safe operation area IGBT (RBSOA)
T
vj
= 125°C
0
600
1200
1800
2400
3000
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA)
T
vj
= 125°C
safe operation area Diode (SOA)
7 (9)
FZ1200R33KL2_V Rev3.xls
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參數(shù)描述
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FZ1200R33KF2C-B5 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZ1200R33KL2 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KL2C 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1200R33KL2C_B5 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: