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參數(shù)資料
| 型號： | FZ1200R33KF2-B5 |
| 廠商： | EUPEC |
| 英文描述： | Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
| 中文描述： | Hochstzulassige話高潮/最大額定值 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 164K |
| 代理商： | FZ1200R33KF2-B5 |
Technische Information / Technical Information
FZ 1200 R 33 KL2
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufiges Datenblatt
preliminary datasheet
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
R
thJC
-
-
0,0085
K/W
Diode/Diode, DC
-
-
0,0170
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
Paste
= 1 W/m*K /
grease
= 1 W/m*K
R
thCK
-
0,006
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
vj op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
AlSiC
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Kriechstrecke
creepage distance
32,2
mm
Luftstrecke
clearance
19,1
mm
CTI
comperative tracking index
> 400
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
M1
5
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
terminals M4
M2
2
Nm
terminals M8
8 .. 10
Nm
Gewicht
weight
G
1500
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3 (9)
FZ1200R33KL2_V Rev3.xls
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZ1600R12KE3 | IGBT-Module |
| FZ1600R17KF6B2 | Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
| FZ1800R12KL4C | Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
| FZ300R12KE3G | Technische Information / technical information |
| FZ400R12KS4 | IGBT-Module / IGBT-inverter |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FZ1200R33KF2C | 功能描述:IGBT 晶體管 3300V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FZ1200R33KF2C-B5 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter |
| FZ1200R33KL2 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
| FZ1200R33KL2C | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FZ1200R33KL2C_B5 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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