參數(shù)資料
型號(hào): FJY4011R
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: PNP Epitaxial Silicon Transistor
中文描述: 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-523F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 262K
代理商: FJY4011R
3
www.fairchildsemi.com
FJY4011R Rev. A
F
Package Dimensions
SOT-523F
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJY4012R PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJY4013R PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJY4014R PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJYF2906 PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier
FJZ594JC Si N-channel Junction FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJY4012R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased PNP 50V R1_47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJY4013R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased PNP 50V R1_2.2K R2_4 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJY4014R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased PNP 50V R1_4.7K R2_4 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJYF2906 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier
FJYF2906PWD 功能描述:TRANSISTOR PNP 40V 150MA SOT563F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR