參數(shù)資料
型號： FJY4013R
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP Epitaxial Silicon Transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-523F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 267K
代理商： FJY4013R
tm
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FJY4013R Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
F
November 2006
FJY4013R
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Features
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
Built in bias Resistor (R
1
=2.2K
, R
2
=47K
)
Complement to FJY3013R
Absolute Maximum Ratings *
T
a
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.
Thermal Characteristics*
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
* Minimum land pad size.
Electrical Characteristics*
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Value
Units
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Collector-Base Voltage
-50
V
Collector-Emitter Voltage
-50
V
Emitter-Base Voltage
-10
V
I
C
T
STG
T
J
P
C
Collector Current
-100
mA
Storage Temperature Range
-55~150
°
C
Junction Temperature
150
°
C
Collector Power Dissipation
, by R
θ
JA
200
mW
Parameter
Max
600
Units
°
C/W
Test Condition
MIN
Typ
MAX
Units
V
(BR)CBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= -10 uA, I
E
= 0
-50
V
V
(BR)CEO
Collector-Base Breakdown Voltage
I
C
= -100 uA, I
B
= 0
-50
V
I
CBO
Collector-Cutoff Current
V
CB
= -40 V, I
E
= 0
-0.1
uA
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= -5 V, I
C
= -5mA
68
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
I
C
= -10 mA, I
B
= -0.5 mA
-0.3
V
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
V
CE
= -10V, I
C
= -5 mA
200
MHz
C
cb
Output
Capacitance
V
CB
= -10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
5.5
pF
V
I(
off
)
Input Off Voltage
V
CE
= -5 V, I
C
= -100uA
-0.5
V
V
I(
on)
Input On Voltage
V
CE
= -0.2V, I
C
= -10mA
-1.1
V
R
1
Input Resistor
1.5
2.2
2.9
K
R
1
/R
2
Resistor Ratio
0.042
0.047
0.052
SOT
-
523F
E
B
C
Eqivalent Circuit
B
E
C
S63
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJY4014R PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJYF2906 PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier
FJZ594JC Si N-channel Junction FET
FJZ594J Si N-channel Junction FET
FJZ594JB Si N-channel Junction FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJY4014R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased PNP 50V R1_4.7K R2_4 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJYF2906 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier
FJYF2906PWD 功能描述:TRANSISTOR PNP 40V 150MA SOT563F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
FJYF2906TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/-40V/-150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJZ594J 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Si N-channel Junction FET
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