參數(shù)資料
型號： FJPF9020
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP Epitaxial Darlington Transistor
中文描述： 2 A, 550 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： FJPF9020
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, June 2002
F
FJPF9020
Monolithic Construction With Built In Base-Emitter
Shunt Resistors
High Collector-Base Breakdown Voltage : BV
CBO
= -550V
High DC Current Gain : h
FE
= 550 @ V
CE
= -4V, I
C
= -1A (Typ.)
Industrial Use
PNP Epitaxial Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
Value
- 550
- 550
- 6
- 2
- 4
15
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= - 100uA, I
E
= 0
I
C
= - 500uA, I
B
= 0
I
E
= - 200mA, I
C
= 0
V
CE
= - 550V, I
E
= 0
V
EB
= - 6V, I
C
= 0
V
CE
= - 4V, I
C
= - 1A
I
C
= - 1A, I
B
= - 20mA
I
C
= - 1A, I
B
= - 20mA
Min.
- 550
- 550
-6
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
mA
-100
-20
700
- 1.5
- 2.0
-10
550
-1.0
-1.5
400
V
V
Equivalent Circuit
B
E
C
R1
R2
R1
R2
600
150
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
TO-220F
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FJPF9020TU 功能描述:達林頓晶體管 PNP Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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