參數(shù)資料
型號(hào)： FJT44
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Epitaxial Silicon Transistor
中文描述： 0.3 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 98K
代理商： FJT44
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A3, August 2002
F
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Symbol
Parameter
Value
500
400
6
300
2
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
W
°
C
°
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE
Parameter
Test Condition
Min.
500
400
6
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
Collector-Base Breakdown Voltage
* Collector -Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
I
C
=100
μ
A, I
B
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
V
CB
=400V, I
E
=0
V
CE
=400V, I
B
=0
V
EB
=4V, I
C
=0
V
CE
=10V, I
C
=1mA
V
CE
=10V, I
C
=10mA
V
CE
=10V, I
C
=50mA
V
CE
=10V, I
C
=100mA
I
C
=1mA, I
B
=0.1mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=50mA, I
B
=5mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
V
CB
=20V, I
E
=0, f=1MHz
0.1
0.5
0.1
40
50
45
40
200
V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
0.4
0.5
0.75
0.75
7
V
V
V
V
pF
V
BE
(sat)
C
ob
* Base-Emitter Saturation Voltage
Output Capacitance
FJT44
High Voltage Transistor
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
SOT-223
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FJT44TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJT44TF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJ-TB123 制造商:Stellar Labs Power 功能描述:Fujitsu Replacement Laptop Battery
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