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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FJT1100 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | Ultra Low Leakage Diodes |
| 中文描述： | 超低漏電二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 29K |
| 代理商： | FJT1100 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJT1101 | Ultra Low Leakage Diodes |
| FJT44 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJU1615 | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJU5304D | High Voltage Fast Switching Transistor |
| FJU5304DTU | High Voltage Fast Switching Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FJT1101 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra Low Leakage Diodes |
| FJT44 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJT44_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJT44KTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJT44TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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