參數(shù)資料
型號(hào)： FJU5304D
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： High Voltage Fast Switching Transistor
中文描述： 高壓快速開(kāi)關(guān)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 152K
代理商： FJU5304D
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FJU5304D Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
F
FJU5304D
High Voltage Fast Switching Transistor
Features
Built-in Free Wheeling Diode
Wide Safe Operating Area
Small Variance in Storage Time
Suitable for Electronic Ballast Application
Absolute Maximum Ratings
T
C
= 25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW = 300
μ
s, Duty Cycle = 2% Pulsed
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
700
V
Collector-Emitter Voltage
400
V
Emitter-Base Voltage
12
V
Collector Current (DC)
4
A
* Collector Current (Pulse)
8
A
Base Current (DC)
2
A
* Base Current (Pulse)
4
A
Collector Dissipation (T
C
= 25
°
C)
Junction Temperature
30
W
150
°
C
Storage Temperature
-55 ~ 150
°
C
Package
Reel Size
Tape Width
Quantity
J5304D
FJU5304DTU
I-PAK
-
-
75
C
B
E
Equivalent Circuit
1. Base 2. Collector 3. Emitter
I-PACK
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJU5304DTU High Voltage Fast Switching Transistor
FJV1845 NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3101 NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3101R NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3102 NPN Epitaxial Silicon Transistor
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參數(shù)描述
FJU5304DTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJV1845 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV1845EMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJV1845EMTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJV1845FMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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