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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FJPF6806D |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| 中文描述： | 6 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商： | FJPF6806D |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, July 2002
F
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
*
Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* Pulse Test: Pulse Width=5ms, Duty Cycle < 10%
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CES
Collector Cut-off Current
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
BV
EBO
Base-Emitter Breakdown Voltage
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
V
F
Damper Diode Turn On Voltage
t
STG
*
Storage Time
t
F
*
Fall Time
* Pulse Test: PW=20
μ
s, duty Cycle=1% Pulsed
Thermal Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
R
θ
jC
Thermal Resistance, Junction to Case
Parameter
Rating
1500
750
6
6
12
40
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Conditions
V
CB
=1400V, R
BE
=0
V
CB
=800V, I
E
=0
V
EB
=4V, I
C
=0
I
E
=300mA, I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=1A
V
CE
=5V, I
C
=4A
I
C
=4A, I
B
=1A
I
C
=4A, I
B
=1A
I
F
= 4.5A
V
CC
=200V, I
C
=4A, R
L
=50
I
B1
=1.0A, I
B2
= - 2.0A
Min
Typ
Max
1
10
200
Units
mA
μ
A
mA
V
40
6
8
4
DC Current Gain
7
5
V
V
V
μ
s
μ
s
1.5
2
3
0.2
Parameter
Typ
Max
3.1
Units
°
C/W
FJPF6806D
High Voltage Color Display Horizontal
Deflection Output (Damper Diode Built In)
High Collector-Base Breakdown Voltage : BV
CBO
= 1500V
High Switching Speed : t
F
(typ.) =0.1
μ
s
For Color TV
C
B
E
50
typ.
Equivalent Circuit
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220F
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PDF描述 |
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