參數(shù)資料
型號(hào): FGB30N6S2D
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): IGBT 晶體管
英文描述: 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
中文描述: 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝: PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù): 9/12頁(yè)
文件大小: 281K
代理商: FGB30N6S2D
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH30N6S2D / FGP30N6S2D / FGB30NS2D Rev. A
F
TO-247
3 LEAD JEDEC STYLE TO-247 PLASTIC PACKAGE
A
b
b
1
b
2
c
D
E
L
L
1
R
1
2
e
1
3
1
J
1
S
Q
P
BACK VIEW
TERM. 4
3
e
2
SYMBOL
INCHES
MILLIMETERS
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
A
0.180
0.190
4.58
4.82
-
b
0.046
0.051
1.17
1.29
2, 3
b
1
0.060
0.070
1.53
1.77
1, 2
b
2
0.095
0.105
2.42
2.66
1, 2
c
0.020
0.026
0.51
0.66
1, 2, 3
D
0.800
0.820
20.32
20.82
-
E
0.605
0.625
15.37
15.87
-
e
0.219 TYP
5.56 TYP
4
e
1
0.438 BSC
11.12 BSC
4
J
1
0.090
0.105
2.29
2.66
5
L
0.620
0.640
15.75
16.25
-
L
1
0.145
0.155
3.69
3.93
1
P
0.138
0.144
3.51
3.65
-
Q
0.210
0.220
5.34
5.58
-
R
0.195
0.205
4.96
5.20
-
S
0.260
0.270
6.61
6.85
-
NOTES:
1. Lead dimension and finish uncontrolled in L
1
.
2. Lead dimension (without solder).
3. Add typically 0.002 inches (0.05mm) for solder coating.
4. Position of lead to be measured 0.250 inches (6.35mm) from bottom of di-
mension D.
5. Position of lead to be measured 0.100 inches (2.54mm) from bottom of di-
mension D.
6. Controlling dimension: Inch.
7. Revision 1 dated 1-93.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGH30N6S2 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
FGP30N6S2 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
FGB30N6S2 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
FGH40N6S2D 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
FGH40N6S2 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FGB30N6S2DT 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Ch IGBT SMPS II Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGB30N6S2T 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS II Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGB3236 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FGB3236_F085 功能描述:IGBT 晶體管 320MJ 360V N-CH IGNITION IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGB40N60SM 功能描述:IGBT 晶體管 600V 40A FIELD STOP PLANAR IGBT GEN2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube