參數(shù)資料
型號(hào)： FGB30N6S2D
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
中文描述： 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 10/12頁(yè)
文件大小： 281K
代理商： FGB30N6S2D
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH30N6S2D / FGP30N6S2D / FGB30NS2D Rev. A
F
TO-220AB
3 LEAD JEDEC TO-220AB PLASTIC PACKAGE
E
P
Q
D
H
1
E
1
L
L
1
60
o
b
1
b
1
2
e
3
e
1
A
c
J
1
45
o
D
1
A
1
TERM. 4
SYMBOL
INCHES
MILLIMETERS
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
A
0.170
0.180
4.32
4.57
-
A
1
0.048
0.052
1.22
1.32
-
b
0.030
0.034
0.77
0.86
3, 4
b
1
0.045
0.055
1.15
1.39
2, 3
c
0.014
0.019
0.36
0.48
2, 3, 4
D
0.590
0.610
14.99
15.49
-
D
1
-
0.160
-
4.06
-
E
0.395
0.410
10.04
10.41
-
E
1
-
0.030
-
0.76
-
e
0.100 TYP
2.54 TYP
5
e
1
0.200 BSC
5.08 BSC
5
H
1
0.235
0.255
5.97
6.47
-
J
1
0.100
0.110
2.54
2.79
6
L
0.530
0.550
13.47
13.97
-
L
1
0.130
0.150
3.31
3.81
2
P
0.149
0.153
3.79
3.88
-
Q
0.102
0.112
2.60
2.84
-
NOTES:
1. These dimensions are within allowable dimensions of Rev. J of JEDEC TO-
220AB outline dated 3-24-87.
2. Lead dimension and finish uncontrolled in L
1
.
3. Lead dimension (without solder).
4. Add typically 0.002 inches (0.05mm) for solder coating.
5. Position of lead to be measured 0.250 inches (6.35mm) from bottom of dimen-
sion D.
6. Position of lead to be measured 0.100 inches (2.54mm) from bottom of dimen-
sion D.
7. Controlling dimension: Inch.
8. Revision 2 dated 7-97.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGH30N6S2 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
FGP30N6S2 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
FGB30N6S2 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
FGH40N6S2D 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
FGH40N6S2 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FGB30N6S2DT 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Ch IGBT SMPS II Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGB30N6S2T 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS II Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGB3236 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FGB3236_F085 功能描述:IGBT 晶體管 320MJ 360V N-CH IGNITION IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGB40N60SM 功能描述:IGBT 晶體管 600V 40A FIELD STOP PLANAR IGBT GEN2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*