參數(shù)資料
型號： FGB30N6S2D
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
中文描述： 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 281K
代理商： FGB30N6S2D
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH30N6S2D / FGP30N6S2D / FGB30NS2D Rev. A
F
Figure 13. Transfer Characteristic
Figure 14. Gate Charge
Figure 15. Total Switching Loss vs Case
Temperature
Figure 16. Total Switching Loss vs Gate
Resistance
Figure 17. Capacitance vs Collector to Emitter
Voltage
Figure 18. Collector to Emitter On-State Voltage vs
Gate to Emitter Voltage
Typical Performance Curves
(Continued)
I
C
,
0
25
50
7
9
16
75
150
5
125
100
175
6
8
10
11
12
13
14
15
PULSE DURATION = 250
μ
s
DUTY CYCLE < 0.5%, V
CE
= 10V
T
J
= -55
o
C
T
J
= 125
o
C
V
GE
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
T
J
= 25
o
C
V
G
,
Q
G
, GATE CHARGE (nC)
2
10
0
6
4
8
12
2
6
10
12
0
14
16
14
16
18
24
4
8
20
I
G(REF)
= 1mA, R
L
= 25
, T
J
= 25
o
C
V
CE
= 200V
V
CE
= 400V
V
CE
= 600V
22
I
CE
= 6A
0
0.6
50
75
100
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
0.8
125
25
1.2
E
T
,
1.0
I
CE
= 24A
I
CE
= 12A
0.4
0.2
R
G
= 10
, L = 500mH, V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
TOTAL
= E
ON2
+ E
OFF
150
0.1
10
100
R
G
, GATE RESISTANCE (
)
1.0
1000
E
T
,
10
1
E
TOTAL
= E
ON2
+ E
OFF
T
J
= 125
o
C, L = 500
μ
H, V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
I
CE
= 24A
I
CE
= 12A
I
CE
= 6A
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
C
C
RES
0
10
20
30
40
50
0.0
0.4
1.2
1.4
0.8
C
OES
C
IES
60
70
80
90
100
0.2
0.6
1.0
FREQUENCY = 1MHz
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
V
GE
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
V
C
,
I
CE
= 12A
DUTY CYCLE < 0.5%
PULSE DURATION = 250
μ
s, T
J
= 25
o
C
I
CE
= 6A
I
CE
= 24A
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PDF描述
FGH30N6S2 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
FGP30N6S2 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
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