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參數(shù)資料
| 型號： | FF600R12KE3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT-Modules |
| 中文描述： | 850 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-10 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | FF600R12KE3 |
Technische Information / technical information
FF600R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
min.
typ.
max.
R
thJC
-
-
0,022
K/W
-
-
0,044
K/W
-
-
0,040
K/W
-
-
0,080
K/W
-
0,006
-
K/W
-
0,012
-
K/W
clearance
Luftstrecke
>400
mm
CTI
comperative tracking index
mm
creepage distance
T
vj op
pro Modul / per module
pro Zweig/ per arm;
Paste
/
grease
=1W/m*K
Kriechstrecke
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
1,7
-
R
thCK
Al
2
O
3
17
10
-40
-
terminal connection torque
M
M
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
Anschlüsse / terminal M4
Anschlüsse / terminal M8
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
M
case, see appendix
Gehuse, siehe Anlage
internal insulation
Schraube / screw M5
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
with the belonging technical notes.
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Nm
4,25
-
5,75
Gewicht
weight
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
125
°C
°C
T
stg
-40
-
125
°C
150
-
-
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
Thermische Eigenschaften / thermal properties
thermal resistance, case to heatsink
Hchstzulssige Sperrschichttemp.
übergangs Wrmewiderstand
T
vj max
Innere Isolation
G
g
2,3
Nm
10
Nm
1500
8
-
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor, DC, pro Modul / per module
Transistor, DC, pro Zweig / per arm
Diode/Diode, DC, pro Modul / per module
Diode/Diode, DC, pro Zweig / per arm
3 (8)
DB_FF600R12KE3_2.0.xls
2002-07-30
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF800R12KE3 | Technische Information / technical information |
| FF800R17KE3 | IGBT-inverter |
| FFA05U120DN | Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流5A超快恢復(fù)功率整流器) |
| FFA10U120DN | 240 x 64 pixel format, CFL, LED, or EL Backlight available |
| FFA10U40DN | Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流10A超快恢復(fù)功率整流器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FF600R12KF1 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| FF600R12KF4 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 600A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF600R12KL4C | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 600A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF600R12ME4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF600R12ME4_B11 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 600A 1200V |
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