參數(shù)資料
型號(hào)： FF600R12KE3
廠(chǎng)商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Modules
中文描述： 850 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-10
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大小： 152K
代理商： FF600R12KE3
Technische Information / technical information
FF600R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
min.
typ.
max.
-
0,60
-
μs
-
0,66
-
μs
-
0,23
-
μs
-
0,22
-
μs
-
0,82
-
μs
-
0,96
-
μs
-
0,15
-
μs
-
0,18
-
μs
-
2,0
2,5
V
-
1,8
-
V
-
170
-
A
-
265
-
A
-
25
-
μC
-
60
-
μC
-
6
-
mJ
-
17
-
mJ
A
I
SC
-
2400
-
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
-
nH
stray inductance module
Modulindiktivitt
L
CE
-
20
SC data
V
CC
= 900V, V
CEmax
= V
CES
- L
CE
· di/dt
Kurzschlussverhalten
t
P
10μs, V
GE
15V, T
Vj
125°C
0,18
Q
r
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
E
rec
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 2400A/μs
Sperrverzgerungsladung
recoverred charge
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 2400A/μs
E
off
I
C
= 600A, V
CC
= 600V, L = 120nH
V
GE
=±15V, R
Goff
=1,2 , T
vj
= 125°C
-
E
on
I
C
= 600A, V
CC
= 600V, L = 120nH
V
GE
=±15V, R
Gon
=3,6 , T
vj
= 125°C
I
C
= 600A, V
CC
= 600V
t
d,off
V
GE
=±15V, R
Goff
=1,2 , T
vj
=25°C
V
GE
=±15V, R
Goff
=1,2 , T
vj
= 125°C
I
C
= 600A, V
CC
= 600V
V
GE
=±15V, R
Goff
=1,2 , T
vj
=25°C
V
GE
=±15V, R
Goff
=1,2 , T
vj
= 125°C
m
Charakteristische Werte / characteristic values
-
-
t
f
V
GE
=±15V, R
Gon
=3,6
T
vj
=25°C
V
GE
=±15V, R
Gon
=3,6 , T
vj
= 125°C
-
t
d,on
I
C
= 600A, V
CC
= 600V
t
r
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
V
F
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
R
CC′/EE′
T
c
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 2400A/μs
Durchlassspannung
Charakteristische Werte / characteristic values
I
F
= I
C, nom
, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
F
= I
C, nom
, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
Diode Wechselrichter / diode inverter
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
V
GE
=±15V, R
Gon
=3,6 , T
vj
= 125°C
I
C
= 600A, V
CC
= 600V
V
GE
=±15V, R
Gon
=3,6
T
vj
=25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
-
mJ
-
mJ
120
95
2 (8)
DB_FF600R12KE3_2.0.xls
2002-07-30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FF800R12KE3 Technische Information / technical information
FF800R17KE3 IGBT-inverter
FFA05U120DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流5A超快恢復(fù)功率整流器)
FFA10U120DN 240 x 64 pixel format, CFL, LED, or EL Backlight available
FFA10U40DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流10A超快恢復(fù)功率整流器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FF600R12ME4_B11 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 600A 1200V
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