參數(shù)資料
型號(hào)： FF400R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-inverter
中文描述： 580 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 263K
代理商： FF400R12KE3
5
Technische Information / technical information
FF400R12KE3
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Martin Knecht
approved by: Wilhelm Rusche
date of publication: 2004-4-8
revision: 3.0
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
Eóò = f (R), Eó = f (R)
V = ±15 V, I = 400 A, V = 600 V
R []
E
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
160
140
120
100
80
60
40
20
0
Eóò, TY = 125°C
Eó, TY = 125°C
Transienter Wrmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,001
0,01
0,1
Zúì : IGBT
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,00118
0,0000119
2
0,00353
0,002364
3
0,03123
0,02601
4
0,02606
0,06499
Sicherer Rückwrts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I = f (V)
V = ±15 V, Ró = 1,8 , TY = 125°C
V [V]
I
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
I, Modul
I, Chip
Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
800
700
600
500
400
300
200
100
0
TY = 25°C
TY = 125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FF600R12KE3 IGBT-Modules
FF800R12KE3 Technische Information / technical information
FF800R17KE3 IGBT-inverter
FFA05U120DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流5A超快恢復(fù)功率整流器)
FFA10U120DN 240 x 64 pixel format, CFL, LED, or EL Backlight available
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參數(shù)描述
FF400R12KE3_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 580A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF400R12KF1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL124HW114
FF400R12KF4 功能描述:IGBT 模塊 1200V 400A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF400R12KL4C 功能描述:IGBT 模塊 1200V 400A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF400R12KT3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 580A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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