參數(shù)資料
型號(hào)： FF400R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-inverter
中文描述： 580 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 263K
代理商： FF400R12KE3
3
Technische Information / technical information
FF400R12KE3
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Martin Knecht
approved by: Wilhelm Rusche
date of publication: 2004-4-8
revision: 3.0
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V￥
2,5
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Cu
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkrper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
20,0
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkrper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
11,0
mm
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 425
min.
typ.
max.
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
eèùút = 1 W/(m·K) / etèùt = 1 W/(m·K)
Rúì
0,01
K/W
Modulinduktivitt
stray inductance module
Lù
20
nH
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T = 25°C, pro Schalter / per switch
Róó
0,70
m
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter / inverter
TY èà
150
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter / inverter
TY ó
-40
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tùú
-40
125
°C
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M6
M
3,00
-
6,00
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Schraube / screw M6
M
2,5
-
5,0
Nm
Gewicht
weight
G
340
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
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PDF描述
FF600R12KE3 IGBT-Modules
FF800R12KE3 Technische Information / technical information
FF800R17KE3 IGBT-inverter
FFA05U120DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流5A超快恢復(fù)功率整流器)
FFA10U120DN 240 x 64 pixel format, CFL, LED, or EL Backlight available
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參數(shù)描述
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FF400R12KF1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL124HW114
FF400R12KF4 功能描述:IGBT 模塊 1200V 400A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF400R12KL4C 功能描述:IGBT 模塊 1200V 400A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF400R12KT3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 580A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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