參數(shù)資料
型號(hào)： FDZ291P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
中文描述： 4.6 A, 20 V, 0.04 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ULTRA THIN, BGA-9
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 170K
代理商： FDZ291P
FDZ291P Rev. C1 (W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
2
4
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
6
8
10
12
-
G
,
I
D
= -4.6A
V
DS
= -5V
-15V
-10V
0
300
600
900
1200
1500
0
5
10
15
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 157
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
100μs
10s1s
0
5
10
15
20
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 157°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 157 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
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FDZ294P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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