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參數(shù)資料
| 型號： | FDZ291P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
| 中文描述： | 4.6 A, 20 V, 0.04 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ULTRA THIN, BGA-9 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 170K |
| 代理商： | FDZ291P |
FDZ291P Rev. C1 (W)
Dimensional Pad and Layout
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ293P | P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
| FDZ294N | N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
| FDZ298N | N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
| FDZ299P | LED, RT ANGLE, BLUE, SM |
| FDZ5047N | 30V N-Channel Logic Level PowerTrench BGA MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDZ291P_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench㈢ BGA MOSFET |
| FDZ293P | 功能描述:MOSFET 2.5V PCH BGA 1.5x1.5 SPECIFIED POWRTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ293P_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench㈢ BGA MOSFET |
| FDZ294N | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ294P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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