參數(shù)資料
型號： FDW2511NZ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 7.1 A, 20 V, 0.02 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TSSOP-8
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 267K
代理商： FDW2511NZ
FDW2511NZ Rev. A
www.fairchildsemi.com
F
D
8
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDW2511NZ 2 1 3 ;
rev July 2004
Ca 12 8 1.1e-9
Cb 15 14 1.1e-9
Cin 6 8 0.8e-9
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
DESD2 91 9 DESD2MOD
DESD1 91 7 DESD1MOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 24
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 9.1e-10
Ldrain 2 5 1e-9
Lsource 3 7 2.1e-10
RLgate 1 9 9.1
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 2.1
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 1.0e-2
Rgate 9 20 2.75
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 1.7e-3
Rvthres 22 8 Rvthresmod 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*120),2.5))}
MODEL DbodyMOD D (IS=3.5E-11 RS=1.08e-2 IKF=.5 N= TRS1=8e-4 TRS2=6e-6 XTI=.1
+CJO=3.2e-10 TT=1.07e-8 M=0.68 TIKF=0.001)
.MODEL DbreakMOD D (RS=1e-1 TRS1=9e-3 TRS2=-2.0e-5)
.MODEL DESD1MOD D (BV=15.0 RS=1)
.MODEL DESD2MOD D (BV=14.3 RS=1)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=0.70e-9 IS=1e-30 N=10 M=0.3)
MODEL MstroMOD NMOS (VTO=1.21 KP=147 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=0.93 KP=1.7 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=2.75)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=0.752 KP=0.05 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=27.5 RS=.1)
MODEL RbreakMOD RES (TC1=5.0e-4 TC2=8e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=2.1e-3 TC2=3.4e-6)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=1e-3 TC2=1e-5)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=5e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-.9e-3 TC2=1e-7)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-1.1e-3 TC2=-4.0e-6)
MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-6 VOFF=-1.5)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-1.5 VOFF=-6)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.5 VOFF=0.3)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=0.3 VOFF=-0.5)
ENDS
*$
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options
; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
18
22
+
-
6
8
+
-
5
51
+
-
19
8
+
-
17
18
-
6
8
+
-
5
8
+
-
RBREAK
RVTEMP
19
VBAT
RVTHRES
IT
17
18
22
12
13
15
S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
14
8
13
8
14
13
MWEAK
EBREAK
DBODY
RSOURCE
SOURCE
3
11
7
LSOURCE
RLSOURCE
CIN
RDRAIN
EVTHRES
16
21
8
MMED
MSTRO
DRAIN
2
LDRAIN
RLDRAIN
DBREAK
DPLCAP
ESLC
RSLC1
51
10
5
50
RSLC2
1
GATE
RGATE
EVTEMP
9
ESG
LGATE
RLGATE
20
+
-
+
6
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PDF描述
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FDW2512NZ_NL Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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